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台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术

作者:admin    发布时间:2020-07-15 13:50     浏览次数 :


作者:时间:2020-07-13来源:TechWeb.com.cn收藏
 
 
  

据台湾媒体报道,冲刺先进制程,在研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称)技术。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202007/415540.htm

台积电2_440

台媒称,三星已决定在3nm率先导入技术,并宣称要到2030年超过,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入研发,并获得技术重大突破,成功找到切入路径。

台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示,3nm仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

台积电成立于1987年,是全球最大的晶圆代工半导体制造厂,客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市,股票代码为2330,另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易,股票代号为TSM。


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